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NXP Semiconductors
PESD5V0S1BSF
Bidirectional low capacitance ESD protection diode
50
C d
(pF)
40
30
20
018aaa049
? V CL ? V BR ? V RWM
I PP
I R
I RM
? I RM
? I R
?
V RWM V BR V CL
+
10
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
? I PP
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
V R (V)
006aaa676
Fig 3.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
ESD TESTER
Fig 4.
V-I characteristics for a bidirectional
ESD protection diode
4 GHz DIGITAL
R Z
450 Ω
RG 223/U
50 Ω coax
10 ×
OSCILLOSCOPE
ATTENUATOR
C Z
IEC 61000-4-2 network
C Z = 150 pF; R Z = 330 Ω
PESD5V0x1BSF
50 Ω
018aaa037
Fig 5.
ESD clamping test setup
PESD5V0S1BSF
Product data sheet
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Rev. 2 — 18 February 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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